UT3N06G-AE3-R دیتاشیت

UT3N06G-AE3-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت UT3N06G-AE3-R
حجم فایل 246.977 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت UT3N06G-AE3-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) UT3N06L-TM3-T
  • Power Dissipation (Pd): 1.13W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,3A
  • Package: TO-251(IPAK)
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

محصولات مشابه